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市场活动

ANSYS方案获联电14纳米制程技术认证

发布时间:2018-07-20

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  ANSYS宣布其ANSYS RedHawkANSYSR Totem获联华电子(UMC)的先进14纳米FinFET制程技术认证。ANSYS和联电透过认证和完整套装半导体设计解决方案,支援共同客户满足下一代行动和高效能运算(HPC)应用不断成长的需求。
  此次ANSYS取得联电的认证包括萃取、电源完整性和可靠度、讯号电子迁移(signal EM)以及自发热(self-heat)分析。联电的14纳米FinFET技术与 28纳米技术相较快55%,耗电减少50%,适合需要更多功能、超高效能与超低功耗的应用。
  联电智慧财产开发与设计支援部门总监T.H. Lin表示:「联电不断改进设计以支援产品,帮助客户缩短设计时间并加速产品上市时程。我们与ANSYS合作无间,双方共同客户能够运用ANSYS的多物理场模拟,将设计,改善效能并减少过度设计(overdesign)。」
  ANSYS总经理John Lee表示:「深次微16纳米以下的多层次实体效应的相互依存性持续增加,如电源、可靠度和发热议题,对设计收敛带来重大挑战。ANSYS的半导体解决方案架构针对多层次实体化设计,而联电认证ANSYS解决方案经过严格测试和准确规范的确认,有助于双方共同客户加速设计收敛。」

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